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1200℃RTP退火爐是一款12寸片快速退火爐，采用革新的加熱技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)真正的基底溫度測(cè)量，不需要采用傳統(tǒng)快速退火爐的溫度補(bǔ)償，溫度控制**，溫度重復(fù)性高，客戶包括國(guó)際上許多半導(dǎo)體公司及知名科研團(tuán)隊(duì)，是半導(dǎo)體制程退火工藝的理想選擇。
技術(shù)特色：
? 真正的基片溫度測(cè)量，無需傳統(tǒng)的溫度補(bǔ)償
? 紅外鹵素管燈加熱
? 極其優(yōu)異的加熱溫度**性與均勻性
? 快速數(shù)字PID溫度控制
? 不銹鋼冷壁真空腔室
? 系統(tǒng)穩(wěn)定性好
? 帶觸摸屏的PC控制
? 兼容常壓和真空環(huán)境，真空度標(biāo)準(zhǔn)值為5×10-3Torr，采用二級(jí)分子泵真空度低至5×10-6Torr
? *高3路氣體（MFC控制）
? 沒有交叉污染，沒有金屬污染
技術(shù)參數(shù)：
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產(chǎn)品名稱 |
1200℃RTP退火爐 |
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產(chǎn)品型號(hào) |
CY-RTP1000-Φ300-T |
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基片尺寸 |
12英寸 |
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基片基座 |
石英針（可選配SiC涂層石墨基座） |
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溫度范圍 |
150-1200℃ |
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加熱速率 |
10-150℃/S |
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溫度均勻性 |
≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer) ≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor) |
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溫度控制精度 |
≤ ±3℃ |
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溫度重復(fù)性 |
≤ ±3℃ |
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真空度 |
5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr |
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氣路供應(yīng) |
標(biāo)準(zhǔn)1路N2吹掃及冷卻氣路，由MFC控制（*多可選3路） |
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退火持續(xù)時(shí)間 |
≥10min@1200℃ |
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溫度控制 |
快速數(shù)字PID控制 |
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尺 寸 |
890mm*950mm*1400mm |
