CY-in-line磁控濺射系統(tǒng)設(shè)備用途：

用于在晶體硅表面沉積金屬薄膜（Al、Ag、Ni、Cu、Ti、Pd等），并能夠?qū)崿F(xiàn)反應(yīng)濺射，可完成高、低真空下磁控濺射鍍膜工藝，具備較大尺寸和多種尺寸規(guī)格的晶體硅光伏電池薄膜的連續(xù)制備能力。

CY-in-line磁控濺射系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)：

型號(hào)		CY-in-line
主濺真空室		方形真空室，尺寸? 1000×700×350mm
進(jìn)樣室		圓筒型，臥室，尺寸? 250×420mm
真空系統(tǒng)配置		分子泵與機(jī)械泵，閘板閥
極限壓力	主濺射室	≦8*10-5Pa（經(jīng)烘烤除氣后）
	進(jìn)樣室	≦6.6*10-4Pa（經(jīng)烘烤除氣后）
恢復(fù)真空時(shí)間	主濺射室	40分鐘可達(dá)到6.6*10-4Pa（系統(tǒng)短時(shí)間暴露大氣并充干燥氮?dú)忾_(kāi)始抽氣）
	進(jìn)樣室	40分鐘可達(dá)到6.6*10-3Pa（系統(tǒng)短時(shí)間暴露大氣并充干燥氮?dú)忾_(kāi)始抽氣）
磁控靶組件		矩形靶尺寸約450*45mm；靶與樣品距離80mm可調(diào)
基片加熱臺(tái)	基片結(jié)構(gòu)	尺寸125*125mm或156*156mm，可一次安裝4片樣品
	加熱溫度	室溫~400Ｃ±2  C，可控可調(diào)
氣路系統(tǒng)		質(zhì)量流量控制器3路
設(shè)備占地面積	主機(jī)	2655 * 930mm2
	電控柜	700 *700mm2（兩個(gè)）

免責(zé)聲明：本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容(包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等)，僅供參考。可能由于更新不及時(shí)，會(huì)造成所述內(nèi)容與實(shí)際情況存在一定的差異，請(qǐng)與本公司銷(xiāo)售人員聯(lián)系確認(rèn)。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，本公司會(huì)不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請(qǐng)您見(jiàn)諒。