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各種鍍膜技術的比較
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鍍膜方法 |
真空蒸鍍 |
濺射鍍 |
離子鍍 |
化學反應鍍 |
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可鍍物質 |
金屬 |
金屬某些化合物 |
金屬、合金、化合物、陶瓷、高分子物質 |
金屬、合金、陶瓷、化合物 |
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膜材蒸發(fā)方式 |
真空蒸鍍 |
真空濺射 |
蒸鍍、濺射 |
化學反應 |
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基體加溫范圍℃ |
30~200 |
150~500 |
150~800 |
300~1100 |
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沉積速率nm/min |
2500~75000 |
10~100 |
2500~50000 |
遠大于PVD |
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界面附著強度 |
一般 |
較好 |
好 |
好 |
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膜的純度 |
取決于膜材及膜材支撐舟或坩堝的純度 |
取決于靶材的純度和濺射氣體的純度 |
取決于膜材、坩堝及反應氣體的純度 |
取決于反應氣體 |
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膜的性質 |
膜層不大均勻 |
高密度，針孔少，膜層交均勻 |
高密度，較均勻，針孔少 |
純度高，致密性好 |
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對復雜表面的鍍敷能力 |
只鍍基片的直射表面 |
只鍍基片的直射表面 |
繞射性好，能鍍所有表面，膜均勻 |
可鍍復雜形狀的表面，沉積表面平滑 |
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鍍膜方法 |
蒸發(fā)法 |
磁控濺射法 |
電鍍法 |
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方式 |
干式 |
干式 |
濕式 |
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優(yōu)缺點 |
可鍍基材廣泛 |
可鍍基材范圍廣，在低溫能鍍多種合金膜 |
物理性能好，但基材和鍍膜金屬有局限性 |
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用途 |
裝飾膜，光學膜，電學膜，磁性膜等 |
裝飾膜，光學膜，電學膜，磁性膜等 |
金屬和部分塑料的表面保護層和裝飾層 |
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鍍膜 |
原理 |
蒸發(fā) |
離子轟擊靶材 |
電解 |
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狀態(tài) |
中性 |
中性 |
離子 |
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粒子能量 |
0.2eV(1200℃) |
0.1eV-10eV |
0.2eV |
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表面 |
鍍膜前處理 |
涂底涂層，在真空中脫氣 |
涂底涂層，在真空中脫氣 |
化學腐蝕 |
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粒子穿透深度 |
0，只在表面附著 |
有一點程度的穿透 |
化學腐蝕 |
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處理過程 |
離子 |
—— |
＜0.1% |
100% |
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中性勵起電子 |
—— |
＜10% |
—— |
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熱中性粒子 |
100% |
＜90% |
—— |
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鍍膜材料 |
可選用 |
金屬 |
金屬，非金屬 |
金屬 |
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難與選用或不能選用 |
蒸汽壓非常低的材料，化合物，合金 |
易分解的化合物，蒸汽壓非常高的材料 |
易氧化的材料，高熔點材料，非金屬易氧化的材料，高熔點材料，非金屬 |
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可鍍基材 |
金屬塑料玻璃等 |
金屬塑料玻璃等 |
金屬，部分材料 |
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附著力 |
不好 |
不好-稍微好 |
良好 |
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